这还是核芯显卡么！英特尔锐炬显卡性能评测

  Iris特性揭秘

  如果从底层架构来看，包括Iris在内的Haswell核芯显卡其实与Ivy Bridge是完全一样的。Intel所做的是在此基础上的增强和扩展，其中最明显的是增加了执行单元的数量。跟AMD CU、NVIDIA SMX一样，Iris也有自己的基础模块Sub-Slice(子切片)，它由10个执行单元组成，而每个执行单元都是双发射的SIMD，有两个2×4宽度的矢量ALU。与此同时，Haswell核芯显卡的规模得到了很大的扩充。上一代HD Graphics 4000只有16个执行单元，HD Graphics 4600扩充到20个执行单元，而Iris更是在此基础上提升至40个执行单元。Iris和Iris Pro频率上的区别在于前者的最大睿频加速频率为1.1GHz，浮点性能为704GFLOPS，而后者则可提升到1.3GHz，浮点性能更是达到832GFLOPS。单这一数据就已经超过了GeForce GT 750M。

  虽然在执行单元以及浮点性能上Iris具备了与独立显卡一较高下的规格，功能也非常丰富，但毕竟是集成显示核心，Iris仍然要面对内存带宽不足的问题。Intel在Iris Pro上给出了它的解决方案——128MB的eDRAM嵌入式缓存，代号为“Crystalwell”。Iris和Iris Pro最主要的区别也正在于此，Iris没有eDR AM缓存。这是由Intel自己设计的，采用22nm SoC工艺制造。eDRAM缓存虽然和CPU封装在一起，却没有被整合在CPU中，而是采用独立芯片设计。这样做的目的一是CPU和eDRAM缓存的工艺并不完全一样，二是分开有利于进行调整。

  另外Iris Pro中的eDRAM还扮演着三级缓存替补缓冲器的角色，可以说是内存体系中真正的四级缓存。它可以同时充当CPU、GPU缓存，还能在二者之间动态定位。当设备配置了独立显卡，不需要使用核芯显卡时，eDRAM就会去全力处理CPU的请求。eDRAM与其他部分的联系是通过一条串行总线，双向带宽50GB/s，再加上128-bit DDR3-1600内存的25.6GB/s，显存带宽还是不错的。

  除了高带宽，eDRAM的低功耗也是Intel在Iris Pro上应用它的主要原因之一。它的带宽曲线非常平稳，不像GDDR5那样依赖于负载。待机状态下，它只需要简单地刷新已存储数据，功耗为0.5W~1W，全带宽负载下会上升到3.5W~4.5W。它还和其它所有模块一样，受到了电源控制单元(PCU)的监控。根据散热、负载甚至eDRAM的命中率，PCU可以在CPU、GPU、eDARM之间平衡功耗。