英特尔展示三个关键领域创新 封装密度提升10倍以上

  【天极网笔记本频道】在日前举行的2021 IEEE国际电子器件会议(IEDM)上，英特尔分享了在三个关键领域的创新：第一，为提供更多晶体管的核心微缩技术;第二，在功率器件和内存增益领域提升硅基半导体性能;第三，探索物理学新概念，以重新定义计算。同时，英特尔表示将通过技术创新与突破不断推动摩尔定律，将其延续至2025年及更远的未来。 

  英特尔介绍到，通过混合键合(hybrid bonding)解决设计、制程工艺、组装等难题，将封装的互连密度提升10倍以上。

  早在今年7月份，英特尔便公布了该公司有史以来最详细的制程工艺、封装技术路线图，推出了Foveros Direct封装技术。Foveros Direct实现了向直接铜对铜键合的转变，达成低电阻互连。而且，Foveros Direct实现了10微米以下的凸点间距，使3D堆叠的互连密度提高了一个数量级。

  与此同时，英特尔也展望其GAA RibbonFET(Gate-All-Around RibbonFET)技术，通过堆叠多个(CMOS)晶体管，将晶体管微缩面积提升30%至50%，进而实现单位面积内容纳更多晶体管。

  此前英特尔也曾介绍，基于FinFET晶体管优化，Intel 7与Intel 10nm SuperFin相比，每瓦性能将提升约10%-15%。随着12代酷睿台式机处理器的发布，作为首批采用Intel 7的产品，从中也能倾听到英特尔的怒吼，配合上异构架构、英特尔硬件线程调度器，真的强。 

  因此在英特尔推进制程工艺、封装技术创新的同时，也将实现计算力的突破。

  值得一提的是，即使未来进入埃米时代，摩尔定律也不会过时。英特尔已经在为摩尔定律进入埃米时代铺平道路，在英特尔的前瞻性研究中展示了如何克服传统硅通道限制，用仅有数个原子厚度的新型材料制造晶体管，实现在每个芯片上增加数百万晶体管数量。