八月启动:东芝打造3D NAND Flash新厂
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【天极网笔记本频道】东芝公司(Toshiba)宣佈将在今年八月啟动位於日本三重县四日市的 Fab 5 新厂第二期工程,準备增加 NAND 快闪记忆体的製造產能,同时转移至 3D NAND 生产。
这项工程预计将在2014年夏天完成,东芝强调,目前尚未决定任何设备投资等细节,但未来将视市场动向而定。这表示东芝為该新厂的资本支出规模与速度,将取决於市况而调整。
在2012年7月,东芝曾经因考虑到市场供过於求以及晶片降价压力,因而削减30%的 NAND 快闪记忆体產量。然而,在不到六个星期的时间,NAND快闪记忆体的一些客户们就开始抱怨记忆体晶片不足,而多年来持续降价的NAND 晶片在2013年开始止跌回升。此外,日圆走软也让东芝较三星和SK海力士等竞争对手取得更佳优势。
Fab5厂的第二期工程将更强调减少对於环境的影响。相较於同样位於四日市的Fab 4厂,Fab5厂採用餘热回收等基於 LED 照明和节能的生產方式,可望降低13%的二氧化碳排放量。
Fab 5厂第2期工程预计在装机后,可望执行东芝多层 BICS (位元成本可扩展的) 3D NAND 记忆体製造製程。虽然这种技术目前尚未量產,但东芝将能主导 3D NAND 製造地位。2012年底,该公司曾宣佈开发出基於50nm垂直通道的16层原型设备,今年已可提供样片,并预计在2015年量产。
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