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AMD高层透露:45纳米技术可提升20%性能

2007-08-16 10:07作者:健圣出处:天极Yesky笔记本责任编辑:王健

  据hkepc报道,在刚刚结束的AMD Technology Analyst Day 2007大会上,AMD制造部门资深副总裁Doug Grose透露了更多AMD未来制程技术方向。

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AMD技术

  Doug Grose表示,研发初期与IBM合作,透过IBM先进的制程技术可加速其研发速度,现时AMD正与IBM合作以浸没式微影技术、Ulta-Low-K、High-K及Metal Gate技术,制作45奈米及32奈米制程产品,并已为22奈米进行初期的研发工作。量产方面则采用“ FlexFab”理念,除了自己所拥有的晶圆厂商外,还会交给Chartered、TSMC及UMC代工,多供货商政策将效分散AMD的风险,提升供货弹性。

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  Chartered现时正主力AMD代工90奈米处理器,其Chartered Fab 7晶圆厂己在提升制程技术,预计2007年下半年将提升至以生产65奈米产AMD处理器为主。TSMC将主力为AMD代工绘图芯片、芯片组及整合性芯片产品,去季已为AMD生产约2百万片晶圆,并预期将会于第四季以55奈米代工AMD绘图产品。

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  Doug Grose指出,AMD 45奈米技术可望于2008年下半年量产,透过Ultra-Low-K技术,效能进一步提升约20%,并保持相同的功耗水平。此外,AMD计划采用High-K/Meta Gate技术于第二代45奈米及新一代32奈米之中,进一步提升芯片频率及能效表现。


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